DIO5105是单相40V MOSFET栅极驱动器经过优化，以驱动高侧和低侧功率MOSFET的栅极同步降压变换器。高端和低压侧驱动器能够驱动3000pF负载上升时间为20ns，下降时间为15ns。
工作电压范围宽，高或低可以优化侧面MOSFET栅极驱动电压为了获得最佳效率。内部自适应非重叠电路进一步降低了开关损耗通过防止两者同时传导钼场效应管。
浮顶驱动器设计可以适应BST电压高达40V，具有瞬态电压高达60V。两个门输出都可以通过将低逻辑电平应用于输出禁用（EN）引脚。欠压锁定该功能确保两个驱动器输出均为低当电源电压较低时，热关闭功能为IC提供了超过温度保护。

特征
 一体化同步降压驱动器
 自举高压侧驱动器
 可编程死区时间
 一个PWM信号产生两个驱动器
 防交叉传导保护电路
 用于禁用驱动器输出的EN满足
与一起使用时的CPU虚拟现实要求
专利Flex模式控制器
 这些是无铅设备
应用
 多相台式CPU电源
 单电源同步降压变换器

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