DIO5110是单相12V MOSFET栅极驱动器经过优化，以驱动高侧和低侧功率MOSFET的栅极同步降压变换器。高端和低压侧驱动器能够驱动3000pF负载传播延迟为25ns，传播延迟为30ns过渡时间。
工作电压范围宽，高或低可以优化侧面MOSFET栅极驱动电压为了获得最佳效率。内部自适应非重叠电路进一步降低了开关损耗通过防止两者同时传导钼场效应管。
浮顶驱动器设计可以适应VBST电压高达35V，具有瞬态电压高达40V。两个门输出都可以通过将低逻辑电平应用于输出禁用（EN）引脚。欠压锁定该功能确保两个驱动器输出均为低当电源电压较低时，热关闭功能为IC提供了超过温度保护。

特征
 从5.5V到13.2V的宽电压范围
 一体化同步降压驱动器
 自举高压侧驱动器
 最大4.0A峰值电源电流
能力
 最大3.5A峰值吸收电流能力
 一个PWM信号产生两个驱动器
 防交叉传导保护电路
 欠压锁定功能
 超温停机功能
 这些是无铅设备
应用
 多相台式CPU电源
 单电源同步降压变换器

需要了解更多DIOO帝奥微的IC应用方案，请直接联系：