DIO5100是单相12V MOSFET栅极优化驱动程序以驱动两个a中的高侧和低侧功率MOSFET同步降压变换器。高端和低压侧驱动器能够驱动3000pF负载传播延迟为25ns，传播延迟为30ns过渡时间。
工作电压范围宽，高或低可以优化侧面MOSFET栅极驱动电压为了获得最佳效率。内部自适应非重叠电路进一步减少了切换防止同时传导的损耗两个视场效应管。
浮顶驱动器设计可以适应VBST电压高达35V，具有瞬态电压高达40V。两个门输出都可以通过将低逻辑电平应用于输出禁用（EN）引脚。欠电压锁定功能确保两个驱动器输出当电源电压低时为低，并且热关机功能为IC提供过温保护。

特征
 一体化同步降压驱动器
 自举高压侧驱动器
 可编程死区时间
 一个PWM信号产生两个驱动器
 防交叉传导保护电路
 用于禁用驱动器输出的EN满足
与一起使用时的CPU虚拟现实要求
专利Flex模式控制器
 这些是无铅设备
应用
 多相台式CPU电源
 单电源同步降压变换器

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