DIO1281具有低RON内部FET和工作范围为2.5 VDC至25 VDC（绝对最大30VDC）。内部夹具能够分流浪涌电压>100V，保护下游组件和增强系统稳健性。DIO1281具有过电压特性在以下情况下关闭内部FET的保护输入电压超过OVP阈值。这个OVP阈值可通过可选的外部电阻器。过温保护在130℃时关闭设备电源（典型）。
异常低的关断状态电流（<1µA最大）有助于遵守待机功率要求。
DIO1281完全“绿色”合规的1.3mm x 1.8mm晶圆级芯片规模背面层压封装（WLCSP）。

特征

浪涌保护
–IEC 61000-4-5：>100V

过电压保护（OVP）

过温保护（OTP）

ESD保护
–IEC 61000-4-2空气放电：>15kV
–IEC 61000-4-2接触放电：>8kV

+/-100V EOS保护

负电压保护（-30V）
应用
手机和平板电脑
便携式媒体播放器

MP3播放器

需要了解更多DIOO帝奥微的IC应用方案，请直接联系：