DIO1280具有低RON内部FET和工作范围为2.5 VDC至25 VDC（绝对最大30 VDC）。内部夹具能够分流浪涌电压>100V，保护下游组件和增强系统稳健性。DIO1280具有过电压特性在以下情况下关闭内部FET的保护输入电压超过OVP阈值。这个OVP阈值可通过可选的外部电阻器。过温保护在130℃时关闭设备电源（典型）。
异常低的关断状态电流（<1µA最大）有助于遵守待机功率要求。
DIO1280是完全“绿色”的合规的1.3mm x 1.8mm晶圆级芯片规模背面层压封装（WLCSP）。

特征
 电涌保护
IEC 61000-4-5：>100V
 过电压保护（OVP）
 过温保护（OTP）
 ESD保护
IEC 61000-4-2空气放电：>15kV
IEC 61000-4-2接触放电：>8kV
 +/- 100V EOS保护
 负电压保护（-30V）
应用
 手机和平板电脑
 便携式媒体播放器
 MP3播放器

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