特征

256M位串行闪存◆快速编程/擦除速度

每可编程页256字节-页程序时间：典型0.4ms

扇区擦除时间：典型70ms

标准，双，四SPI块擦除时间：0.16/0.22s典型值

标准SPI:SCLK、CS#、SI、SO-芯片擦除时间：典型值为70秒

双SPI:SCLK、CS#、IO0、IO1

四SPI:SCLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3◆灵活架构

3或4字节寻址模式-4K字节的统一扇区

32/64K字节的统一块

高速时钟频率

最大104MHz用于3.0-3.6V电源上的快速读取低功耗

双I/O数据传输高达208Mbits/s-1uA典型深度断电电流

四路I/O数据传输高达416Mbits/s-12uA典型待机电流

最大80MHz，用于2.7-3.6V电源上的快速读取

双I/O数据传输高达160Mbits/s◆高级安全功能

四路I/O数据传输高达320Mbits/s-3*2048字节安全寄存器，带OTP锁

128位唯一ID

软件写保护-串行闪存可发现参数（SFDP）寄存器

通过软件写保护全部/部分内存

上/下挡保护◆单电源电压

全电压范围：2.7-3.6V

允许XIP（就地执行）操作

连续读取，8/16/32/64字节换行◆包信息

SOP16（300毫升）

循环耐久性和数据保留-WSON8（8*6mm）

最少100000个程序/擦除周期-TFBGA-24（5*5球阵列）

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