特征

128M位串行闪存◆快速编程/擦除速度

16M字节页程序时间：典型0.5ms

每个可编程页256字节-扇区擦除时间：典型45ms

块擦除时间：0.15s/0.25s典型值

标准，双，四SPI芯片擦除时间：50秒典型

标准SPI:SCLK、CS#、SI、SO、复位#

双SPI:SCLK、CS#、IO0、IO1、RESET#◆灵活架构

四SPI:SCLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3、RESET#-4K字节的统一扇区

32/64K字节的统一块

高速时钟频率

133MHz用于30PF负载的快速读取◆低功耗

双I/O数据传输高达266Mbits/s-14μA典型待机电流

四路I/O数据传输高达532Mbits/s-1μA典型的深度掉电电流

软件写保护◆高级安全功能

通过软件写保护所有/部分内存-每个设备的128位唯一ID

顶部/底部块保护-串行闪存可发现参数（SFDP）寄存器

带OTP锁的3x1024字节安全寄存器

持久性和数据保留

最少100000个程序/擦除周期◆单电源电压

典型的20年数据保留-全电压范围：2.7-3.6V

允许XiP（就地执行）操作◆包信息

高速读取减少了XiP指令的总获取时间SOP8 208mil

带Wrap的连续读取进一步将数据延迟减少到SOP16 300mil

填充SoC缓存-USON8（4x4mm，0.45mm厚）

WSON8（6x5mm）

WSON8（8x6mm）

TFBGA-24球（5x5球阵列）

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