EN25S80B（2S）是一个8兆（1024K字节）串行闪存，具有高级写保护机制。

EN25S80B（2S）支持单位和四位串行输入和输出通过标准串行外围接口（SPI）引脚的命令：串行时钟、芯片选择、串行DQ0（DI）以及DQ1（DO）、DQ2（WP#）和DQ3（HOLD#）。

存储器可以一次编程1到256字节，使用页面程序指令。

EN25S80B（2S）还提供了一种复杂的方法来保护单个模块免受损坏错误或恶意的程序和擦除操作。

通过提供单独保护和取消块保护，系统可以取消对特定块的保护以修改其内容，同时保留内存阵列的剩余块受到安全保护。

这在程序运行的应用程序中很有用代码在子例程或模块基础上或在数据存储的应用程序中进行修补或更新需要修改段而不会对程序代码产生错误修改的风险部分。

EN25S80B（2S）设计用于一次允许单个扇区/块或全芯片擦除操作。

EN25S80B（2S）可配置为以软件保护模式保护部分内存。

该设备可以在每个扇区或块上维持至少100K的程序/擦除周期。

特征

单电源操作

–全电压范围：1.65-1.95伏

串行接口架构

–SPI兼容：模式0和模式3

8 M位串行闪存

–8 M位/1024 KB/4096页

–每可编程页256字节

标准、双或四SPI

–标准SPI:CLK、CS#、DI、DO、WP#、HOLD#

–双SPI:CLK、CS#、DQ0、DQ1、WP#、保持#

–四路SPI:CLK、CS#、DQ0、DQ1、DQ2、DQ3

–可配置虚拟循环编号

高性能

–正常读取

–50兆赫

–快速阅读

–标准SPI:104MHz，带1个虚拟字节

–双SPI:104MHz，带1个虚拟字节

–四SPI:104MHz，带3个虚拟字节

低功耗

–6mA典型有功电流

–1μA典型断电电流

统一扇区架构：

–256个4 KB扇区

–32块32 Kbyte

–16块64 Kbyte

–任何扇区或块都可以单独擦除

软件和硬件写保护：

–通过软件写保护全部或部分内存

–使用WP#引脚启用/禁用保护

高性能程序/擦除速度

–页面程序时间：通常0.7ms

–扇区擦除时间：50ms典型值

–半块擦除时间：典型150ms

–块擦除时间：典型200ms

–芯片擦除时间：通常为5秒

写暂停和写简历

易失性状态寄存器位

可锁定3 x 512字节OTP安全扇区

支持串行闪存可发现参数（SFDP）签名

读取唯一ID号

最小100K耐久循环

数据保留时间20年

包装选项

–8针SOP 150mil车身宽度

–8针SOP 200mil车身宽度

–8触点USON 2x3x0.45 mm

–8触点VDFN 5x6 mm

–所有无铅包装均符合RoHS、无卤素和REACH标准。

温度范围：-40°C~105°C

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