该设备是一个32兆（4096K字节）串行闪存，具有高级写保护机制。

该设备支持单位和四位串行输入和输出命令，通过标准串行外围接口（SPI）引脚：串行时钟、芯片选择、串行DQ0（DI）和DQ1（DO）,DQ2（WP#）和DQ3（HOLD#）。

内存可以编程1至256字节的时间，使用页面程序指令。

该设备还提供了一种复杂的方法，用于保护单个块不受错误或错误操作的影响恶意程序和擦除操作。

通过提供单独保护和取消保护的能力块，系统可以取消对特定块的保护以修改其内容，同时保留剩余的块内存阵列的块受到安全保护。

这在程序代码不可用的应用程序中很有用在子例程或模块的基础上或在数据存储段所在的应用程序中进行修补或更新需要修改而不会对程序代码段产生错误修改的风险。

该设备的设计允许一次单个扇区/块或全芯片擦除操作。

这个设备可以配置为以软件保护模式保护部分内存。

设备可以在每个扇区或块上保持至少100K的程序/擦除周期。

特征

单电源操作

–全电压范围：1.65-1.95伏

串行接口架构

–SPI兼容：模式0和模式3

32 M位串行闪存

–32 M位/4096 KB/16384页

–每可编程页256字节

标准、双或四SPI

–标准SPI:CLK、CS#、DI、DO、WP#、HOLD#

–双SPI:CLK、CS#、DQ0、DQ1、WP#、保持#

–四路SPI:CLK、CS#、DQ0、DQ1、DQ2、DQ3

–可配置虚拟循环编号

高性能

–正常读取

–50兆赫

–快速阅读

–标准SPI:104MHz，带1个虚拟字节

–双SPI:104MHz，带1个虚拟字节

–四SPI:104MHz，带3个虚拟字节

低功耗

–15 mA典型有功电流

–1μA典型断电电流

统一扇区架构：

–1024个4-Kbyte扇区

–128块32 Kbyte

–64 KB的64块

–任何扇区或块都可以单独擦除

软件和硬件写保护：

–通过软件写保护全部或部分内存

–使用WP#引脚启用/禁用保护

高性能程序/擦除速度

–页面程序时间：通常0.7ms

–扇区擦除时间：通常50 ms

–半块擦除时间：典型150ms

–块擦除时间：典型200ms

–芯片擦除时间：通常15秒

写暂停和写简历

易失性状态寄存器位

可锁定3x512字节OTP安全扇区

支持串行闪存可发现参数（SFDP）签名

读取唯一ID号

最小100K耐久循环

数据保留时间20年

包装选项

–8针SOP 150mil车身宽度

–8针SOP 200mil车身宽度

–8触点VDFN 5x6 mm

–8触点USON（4x3x0.55mm）

–所有无铅包装均符合RoHS、无卤素和REACH标准。

温度范围：-40°C~105°C

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