单芯片设计的串行通信方案，引脚少、封装尺寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器 ，并带有内部ECC模块，使其在满足数据传输效率的同时，既节约了空间，又提升了稳定性。产品现拥有38nm及2xnm的成熟工艺制程，未来将继续研发1xnm先进工艺制程。产品可提供3.3V /1.8V两种电压，具备WSON、BGA多种封装形式，不仅能满足常规应用场景，也使其在目前日益普及的由电池驱动的移动互联网及物联网设备中保持低功耗，有效延长设备的待机时间，也更灵活地适用于不同应用场景。目前，东芯半导体的SPI NAND Flash 已在第七届中国电子信息博览会中获得创新奖及2019年度最佳国产存储芯片产品奖。