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率能半导体SS8841T步进电机驱动IC_SS8841T中文规格书

来源:昊海鑫 时间:2023-11-01 22:01

  SS8841T为打印机和其它电机一体化应用提供一种双通道集成电机驱动方案。

SS8841T有两路H桥驱动,每个H桥可提供最大峰值电流2.5A和均方根电流1.75A(在24V和Ta=25°C适当散热条件下),可驱动两个刷式直流电机,或者一个双极步进电机,或者螺线管或者其它感性负载。双极步进电机可以以整步、2细分、4细分运行,或者用软件实现高细分。

SS8841T的每一个H桥的功率输出模块由N型功率MOSFET组成。每个H桥包含整流电路和限流电路。简单的并行数字控制接口,衰减模式可选择为快衰减,慢衰减和混合衰减。

SS8841T提供了一种低功耗睡眠模式来关断内部电路,以达到非常低的静态电流。这种睡眠模式通过设置nSLEEP引脚来实现。内部关断功能包含过流保护,短路保护,欠压锁定保护和过温保护,并提供一个故障输出管脚nFAULT引脚。

SS8841T提供一种带有裸露焊盘的eTSSOP28封装,能有效改善散热性能,且是无铅产品,引脚框架采用100%无锡电镀。

率能半导体成立于2017年是一家专注于电机驱动和运动控制模拟及混合信号芯片设计的公司。“国家高新技术企业”,“专精特新企业”,致力于为步进电机、微型伺服电机及其他小型电机系统提供高质量的驱动及控制芯片。

我们提供的芯片应用领域广泛,涵盖工业设备、运动控制、舞台灯光、打印设备、云台设备、智能机器人、IT及通信等驱动控制领域。

 

 


SS8841T芯片特点:

1,双通道H桥电流控制电机驱动器–单个或两个有刷直流电机–一个步进电机.

2,PWM控制接口.

3,固定频率下电流控制可选择–2 bits电流控制,提供4个电流台阶.

4,低导通阻抗的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)–24V,Ta=25°C时可实现2.5A最大驱动电流–24V,Ta=25°C时RDS(on)为350mΩ(典型值HS+LS).

5, 8.2~40V工作电压范围.

6,睡眠模式低电流.

7,内置3.3V基准电压.

8,带散热片的表面贴装封装.

9,保护特性–过流保护(OCP)–热关断(TSD)–欠压闭锁(UVLO)–故障显示Pin(nFAULT).

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