TPM2025/TPM2025Q系列为低端双通道用于GaN和逻辑电平MOSFET的超高速栅极驱动器。它针对激光雷达和增强低传播的高密度功率变换器延迟设计。TPM2025的2毫米×2毫米倒装QFN封装最小化栅极驱动器功率中的寄生电感环路，并实现最先进的窄脉冲宽度为0.69ns。独立于通道的瞬态抑制器确保具有超快高电流输出脉冲的可靠操作。

特点

AEC-Q100一级合格（仅TPM2025Q）

双独立通道

用于GanReliability的具有优化输出阻尼的5V单电源

7-A峰值源极和5-A汇点驱动电流

0.69-ns最小输入脉冲宽度（典型）

低传播延迟（典型为2纳秒）

针对纳秒脉冲宽度的优化引脚输出

快速上升和下降时间（典型为0.45-ns和0.45-ns）

<0.61-ns两个通道之间的典型延迟匹配

ESD保护超过JESD 22–2 kV HBM，1 kV CDM

提供倒装芯片QFN2X2-10封装

应用程序

激光测距系统

汽车激光雷达

驾驶员监控系统

GaN DC/DC转换系统