该产品采用 H 桥电路结构设计，采用高可靠性功率管工艺，特别适合驱动线圈、马达等感性负载。电路内部集成 N 沟道和 P 沟道功率MOSFET，工作电压范围覆盖 2V 到 9.6V。27℃，VDD=6.5V 条件下最大持续输出电流达到1.1A，最大峰值输出电流达到 1.5A。

该单路为功率器件，本身具备一定内阻，电路的发热与负载电流、功率管导通内阻以及环境温度密切相关。电路设计有芯片级温度检测电路，实时监控芯片内部发热，当芯片内部温度超过设定值时(典型值 150℃)，产生功率管关断信号，关闭负载电流，避免因异常使用导致的温度持续升高，进而造成塑料封装冒烟、起火等严重安全事故。芯片内置的温度迟滞电路，确保电路恢复到安全温度后，才允许重新对功率管进行控制。

特性

 低待机电流 (小于 0.1uA)

 低导通内阻 MOSFET 功率开关管

— 采用 MOS 工艺设计功率管

— 800 毫安通道功率管内阻 0.56 欧姆

— 200 毫安通道功率管内阻 0.50 欧姆特定条件下 VCC 可以悬空

— 输入信号最低高电平电压大于 2.4V较小的输入电流

— 集成约 15K 对地下拉电阻

— VCC 正常连接，3V 驱动信号平均 195uA输入电流

— VCC 悬空，3V 驱动信号平均 330uA 输入电流

 内置带迟滞效应的过热保护电路 (TSD)

应用范围

2-6 节 AA/AAA 干电池供电的玩具马达驱动

2-6 节镍-氢/镍-镉充电电池供电的玩具马达驱动

1-2 节锂电池供电的马达驱动

电子锁