●  VBUS宽范围：3.6V至22V，最高耐压可达30V

●  VBAT宽范围：0V至9.6V，最高耐压可达15V

●  集成buck-boost 四个功率管以及用于NVDC路径管理的BATFET

●  支持1-2节电池充电管理

●  支持涓流充电、恒流充电、恒压充电、充电截止

√ ±0.5%充电电压精度

√ ±5%充电电流精度

√ ±5%输入电流精度

●  支持5V/4.1A输入，针对两节电池高效充电优化设计

●  充电电流最高可达5A，分辨率25mA

●  支持动态电源管理，其中VINDPM支持最高可达21V，最高4.1A IINDPM支持最高可达4.1A

●  支持ICO(输入电流优化)，从而避免适配器过载

●  支持NVDC电源路径管理

●  支持电池升降压反向OTG放电模式，用于USB端口供电

●  3V-21V的OTG输出电压，分辨率20mV

●  最高4.1A的OTG输出电流，分辨率25mV

●  支持OTG UVP输出欠压打嗝保护 、

●  可编程开关频率：750kHz/950kHz/1.15MHz/1.35MHz

●  集成PFM模式可用于轻载模式

●  内部集成10-bit ADC检测电压、电流和温度

●  充电状态显示

●  超低电池待机静态电流

●  支持芯片热调节和热关断保护

●  支持输入/系统/电池过压保护

●  支持输入/电池过流保护

●  支持充电超时安全保护

●  30-pin 4mm x 5mm QFN封装

● 智能手机、平板、超级本

● 移动打印机和ePOS

● 无线扬声器和数码相机

● 无人机和便携式医疗设备

需要了解更多南芯半导体的IC应用方案，请直接联系：