DIO3157E是增强型单极双掷（SPDT）CMOS模拟开关。它具有公共电源上的通电/断电保护功能端口有效保护设备免受外部信号扰动。它还提供出色-3db带宽和更低的电阻，可用作模拟切换到多个应用程序。
DIO3157E在宽Vcc电源下运行从1.65V到5.5V，功耗非常低静态电流，即使S的电压引脚低于VCC电源。此新功能为手机应用服务考虑到与基带处理器通用输入/输出不需要电平转换器。

特征
 过电压公差（OVT）特性
公共端口
 低导通电容：典型18pF
 低导通电阻：最大10Ω
 低功耗：1uA
最大10uA最大ICC
扩展电压范围
（Vin=2.7V，Vcc=4.3V）
 宽-3dB带宽：>300MHz
 宽电源范围：1.65～5.5V
 封装：6芯SC70和SOT23
 8kV HBM ESD额定值，2kV CDM ESD额定值
应用
 手机
 PDA
 便携式仪器
 电池供电通信
 计算机外围设备

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