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DIO3157E 低压SPDT模拟开关|DIOO帝奥微

来源:昊海鑫 时间:2022-07-08 10:48

DIO3157E是增强型单极双掷(SPDT)CMOS模拟开关。它具有公共电源上的通电/断电保护功能端口有效保护设备免受外部信号扰动。它还提供出色-3db带宽和更低的电阻,可用作模拟切换到多个应用程序。
DIO3157E在宽Vcc电源下运行从1.65V到5.5V,功耗非常低静态电流,即使S的电压引脚低于VCC电源。此新功能为手机应用服务考虑到与基带处理器通用输入/输出不需要电平转换器。

特征
 过电压公差(OVT)特性
公共端口
 低导通电容:典型18pF
 低导通电阻:最大10Ω
 低功耗:1uA
最大10uA最大ICC
扩展电压范围
(Vin=2.7V,Vcc=4.3V)
 宽-3dB带宽:>300MHz
 宽电源范围:1.65~5.5V
 封装:6芯SC70和SOT23
 8kV HBM ESD额定值,2kV CDM ESD额定值
应用
 手机
 PDA
 便携式仪器
 电池供电通信
 计算机外围设备

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