DIO7290B设备为低RON MOSEFT控制通过外部逻辑引脚，允许优化电池寿命和便携式设备自主性。它包括一个P沟道MOSFET，在输入电压范围为1.2V至5.5V。A开/关输入（ON）控制can接口的开关具有低压控制信号。120Ω片上增加了负载电阻器，用于输出快速放电当开关关闭时。DIO7290B是封装在WLCSP-4中，间距为0.4mm。它是具有在自由空气中运行的特点温度范围为-40°C至85°C。

特征
 低输入电压：1.2V至5.5V
 超低导通电阻
-VIN=5.0V时rON=48mΩ
-VIN=4.2V时rON=50mΩ
-VIN=3.6V时rON=55mΩ
-VIN=2.5V时rON=65mΩ
-VIN=1.8V时rON=85mΩ
-VIN=1.2V时rON=175mΩ
 直流电流高达1.5A
 超低静态电流：1.8V时为67nA
 超低关断电流：1.8V时33nA
 低控制输入阈值允许使用1.2V/1.8V/3.6V/4.2V/5.0V逻辑
 控制转换速率以避免浪涌电流
 包装：WLCSP-4（0.4mm间距）

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