DIO7929B是一种低导通电阻N沟道MOSFET，由3ms软启动序列控制，用于移动应用。

低Ros（开启）允许系统提供或电池充电至直流2A。如果电源连接到VIN引脚（高电平有效），则设备自动启用，如果没有电源输入（内部下拉），则保持关闭。

由于电流消耗优化，连接到设备的电池的泄漏电流大幅降低，从而延长电池寿命。

特征

1.8V至5.5V工作电压范围禁用时，低静态电流<1µA
开关断开时反向电流闭锁

内置100Ω（典型）输出放电45mΩ（典型）N−MOSFET

直流电流高达2A（最大值）

峰值电流高达5A（最大值）

建造−在软−启动3ms
有源高电平，带集成电桥
Pb−自由设备SOT23-6
应用

手机和数码相机

PDA和笔记本

LCD监视器

电视和机顶盒

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