该设备是一个8Gb的SLC NAND闪存，由两个4Gb芯片堆叠而成，用于某些特殊操作和应用。

NAND闪存设备包括用于高性能I/O操作的异步数据接口。

这些设备使用高度多路8位总线（I/Ox）传输命令、地址和数据。

有五个控制信号用于实现异步数据接口：CE#、CLE、ALE、WE#、RE#。

附加信号控制硬件写保护和监控装置状态（R/B#）。

这个硬件接口创建了一个低管脚计数设备，标准管脚从一个密度到另一个密度保持不变，使未来升级到更高密度，无需重新设计电路板。

目标是由芯片使能信号访问的存储器单元。

目标包含一个或多个NAND闪存芯片。

NAND闪存芯片能够独立执行命令和报告状态的最小单位。

在ONFI规范中，NAND闪存芯片是称为逻辑单元（LUN）。

每个芯片至少有一个NAND闪存芯片使能信号。

有关详细信息，请参阅设备和数组组织。

特征

密度

–8 Gb（4 Gb x 2）

供电电压：1.8V（1.7V~1.95V）

开放NAND闪存接口（ONFI）1.0兼容

单层电池（SLC）技术

组织

–页面大小：4352字节（4096+256字节）

–块大小：64页

–平面数：1

异步I/O性能

–tRC/tWC:30ns

阵列性能

–读取页面：115μs（最大），启用片上ECC

–读取页面：30μs（最大值），禁用片上ECC

–程序页：200μs（典型值），禁用片上ECC

–程序页：240μs（典型值），启用片上ECC

–擦除块：2ms（典型）

命令集：ONFI NAND Flash协议

高级命令集

–程序页缓存模式

–读页缓存模式

–永久块锁定（块47:0）

–一次性可编程（OTP）模式

–块锁

–可编程驱动强度

–读取唯一ID

–内部数据移动

操作状态字节提供检测-操作完成的软件方法

–通过/失败条件

–写保护状态

Ready/Busy#（R/B#）提供了一种检测操作完成的硬件方法

WP#信号：写保护整个设备

ECC：默认情况下禁用8位内部ECC（可以使用SET FEATURE命令进行切换）

Block0在出厂时带有ECC时有效；有关所需的最低ECC，请参阅错误管理。

上电后第一个命令需要复位（FFh）

通电后自动设备初始化的替代方法（联系工厂）

在读取数据的平面内支持内部数据移动操作

质量和可靠性

–耐久性：100000个程序/擦除周期

–数据保留：符合JESD47G

–附加：非循环数据保留：70°C时10年24/7

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