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WINBOND华邦代理商

winbond芯片|华邦电子|winbond代理商|华邦代理商授权深圳市昊海鑫科技(陈功18676367856)中国区代理商

Winbond Serial Flash系列产品特点:                                                                                                               

 •体积小— 由于串行flash采用比并行flash更少的连线在一个系统中传送数据,所以缩小的系统板的空间,能常采用SOIC8、DFN、BGA等封装;
•低功耗 — 串行SPI FLASH器件采用串行接口进行连续数据存取,所以可以达到工作电流:7mA  待机电流:8uA;
•工作温度范围宽 - 最新的Q版本工作温度在-40 to +105;
•快速擦除烧录程式 —通过4KByte统一Sector-Erase,32Kbyte或者64Kbyte Block-Erase或者Chip- Erase能力,目前已达到数据擦除:18mS; 
•成本低,用途广 - 由于是台湾生产与加工,无形中降低了很多成本。广泛应用于数码类以及消费类电子产品中; 
•产品线长 - 串行SPI FLASH产品提供512Kb - 128Mb的密度、I2C、Microwire 和 SPI 兼容协议。

 Winbond Serial Flash系列规格参数
Part No. Density Voltage Temp Range Max Freq Package(s)
W25X05CL 512Kb(64KB*8) 2.3V-3.6V -40°C to +85°C  104MHz(208Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) TSSOP8(173mil) WSON8(6*5mm) USON8(2*3mm) 
W25X10CL 1Mb(128KB*8) 2.3V-3.6V -40°C to +85°C  104MHz(208Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) TSSOP8(173mil) WSON8(6*5mm) USON8(2*3mm) 
W25X10BVSSIG 1Mb(128KB*8) 2.7V-3.6V -40°C to +85°C  104MHz(208Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) WSON8(6*5mm)
W25X10BL 1Mb(128KB*8) 2.3V-3.6V -40°C to +85°C  50MHz(100Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) WSON8(6*5mm)
W25X20CL 2Mb(256KB*8) 2.3V-3.6V -40°C to +85°C  104MHz(208Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) TSSOP8(173mil) WSON8(6*5mm) USON8(2*3mm) 
W25X20BVSSIG 2Mb(256KB*8) 2.7V-3.6V -40°C to +85°C  104MHz(208Mhz Dual-SPI) SOIC-8(150mil) WSON8(6*5mm)
W25X20BL 2Mb(256KB*8) 2.3V-3.6V -40°C to +85°C  50MHz(100Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) WSON8(6*5mm)
W25X20BW 2Mb(256KB*8) 1.65V-1.95V -40°C to +85°C  80MHz(160/320Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) WSON8(6*5mm)
W25X40BVSSIG 4Mb(512KB*8) 2.7V-3.6V -40°C to +85°C  104MHz(208Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) SOIC8(208mil) WSON8(6*5mm) PDIP8(300mil)
W25X40BL 4Mb(512KB*8) 2.3V-3.6V -40°C to +85°C  50MHz(100Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) SOIC8(208mil) WSON8(6*5mm) PDIP8(300mil)
W25Q40BVSSIG 4Mb(512KB*8) 2.7V-3.6V -40°C to +85°C  80/104MHz(160/320Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) SOIC8(208mil) WSON8(6*5mm) PDIP8(300mil)
W25Q40BL 4Mb(512KB*8) 2.3V-3.6V -40°C to +85°C  50MHz(100/200Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) SOIC8(208mil) WSON8(6*5mm) PDIP8(300mil)
W25Q40BW 4Mb(512KB*8) 1.65V-1.95V -40°C to +85°C  80MHz(160/320Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) WSON8(6*5mm)
W25Q80BVSSIG 8Mb(1MB*8) 2.7V-3.6V -40°C to +85°C  80/104MHz(160/320Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) SOIC8(208mil) WSON8(6*5mm) PDIP8(300mil)
W25Q80BL 8Mb(1MB*8) 2.3V-3.6V -40°C to +85°C  50MHz(100/200Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) SOIC8(208mil) WSON8(6*5mm) PDIP8(300mil)
W25Q80BW 8Mb(1MB*8) 1.65V-1.95V -40°C to +85°C  80MHz(160/320Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) SOIC8(208mil) WSON8(6*5mm)
W25Q16BVSSIG 16Mb(2MB*8) 2.7V-3.6V -40°C to +85°C  80/104MHz(160/320Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) SOIC8(208mil) SOIC16(300mil) WSON8(6*5mm) PDIP8(300mil)
W25Q32BVSSIG 32Mb(4MB*8) 2.7V-3.6V -40°C to +85°C  104/80MHz(208/320Mhz Dual-SPI) SOIC8(208mil) SOIC16(300mil) WSON8(6*5mm) WSON8(8*6mm) PDIP8(300mil) TFBGA24(6*8mm)
W25Q64DWSTIM 64Mb(8MB*8) 1.65V-1.95V -40°C to +85°C  50MHz(100/200Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) SOIC8(208mil) SOIC16(300mil)WSON8(6*5mm) PDIP8(300mil)
W25Q64FVDAIG 64Mb(8MB*8) 2.3V-3.6V -40°C to +85°C  104MHz(208/416Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) SOIC8(208mil) WSON8(6*5mm) PDIP8(300mil) TFBGA24(6*8mm)
W25Q64BVFIG 64Mb(8MB*8) 2.7V-3.6V  -40 to +85    -40 to +105 104/80MHz(208/320Mhz Dual-SPI) SOIC8(208mil) SOIC16(300mil) WSON8(6*5mm) WSON8(8*6mm) PDIP8(300mil) TFBGA24(6*8mm)
W25Q64BVSSIG 64Mb(8MB*8) 2.7V-3.6V -40°C to +85°C  104MHz(208/416Mhz Dual-SPI) SOIC8(208mil) SOIC16(300mil) WSON8(6*5mm) WSON8(8*6mm) TFBGA24(6*8mm)
W25Q64BVSSIG 64Mb(8MB*8) 2.7V-3.6V -40°C to +85°C  80MHz(160/320MhzDual/Quad-SPI) SOIC8(208mil) SOIC16(300mil) WSON8(8*6mm) PDIP8(300mil)
W25Q64CVSSIG 64Mb(8MB*8) 2.7V-3.6V  -40 to +85    -40 to +105 80MHz(160/320MhzDual/Quad-SPI) SOIC8(208mil) SOIC16(300mil) WSON8(6*5mm) PDIP8(300mil) TFBGA24(6*8mm)
W25Q128FVSSIG 128Mb(16MB*8) 2.7V-3.6V -40°C to +85°C  104MHz(208/416Mhz Dual-SPI) SOIC8(208mil) SOIC16(300mil) WSON8(6*5mm) WSON8(8*6mm) TFBGA24(6*8mm)
W25Q128BVFG 128Mb(16MB*8) 2.7V-3.6V  -40 to +85    -40 to +105 104/70MHz(208/280Mhz Dual-SPI) SOIC16(300mil) WSON8(8*6mm) TFBGA24(6*8mm)
W25Q256BVFG 256Mb(32MB*8) 2.7V-3.6V -40°C to +85°C  104/80MHz(208/320Mhz Dual-SPI) SOIC16(300mil) WSON8(8*6mm) TFBGA24(6*8mm)
圳市昊海鑫科技有限公司
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华邦芯片

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1、昊海鑫科技保证提供的所有产品均为原厂全新正品,假一赔十;

2、昊海鑫科技所提供的所有产品均符合行业技术标准和质量检测标准,符合原厂苛刻的相关技术指标;

3、若产品存在任何质量问题,本公司无条件负责退货、退款或换货,查明问题原因并赔偿由于我们的疏忽给贵司带来的一切损失。

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Winbond代理商|华邦代理商|华邦Winbond代理商 深圳昊海鑫科技作为台湾【Winbond华邦半导体】在国内的知名Winbond华邦代理商,本着“全力服务客户,为客户创造终生价值”原则。努力创造“资源平台的共享、成就客户、成就公司”的美好前景。 华邦电子创立于1987年9月,今日的华邦主要以专业的内存集成电路公司为定位,主要业务包含产品设计、技术研发、晶圆制造、营销及售后服务,致力以先进的半导体设计及生产技术,提供客户特殊规格的内存解决方案。华邦电子集团以「DRAM产品事业群」、「闪存IC事业群」及「记忆IC制造事业群」三大事业群为核心,不断追求产品与技术的创新,以落实竞争优势。DRAM产品方面,以所擅长的高速度和低功率内存核心设计技术,推出包含Specialty DRAM、以及Pseudo SRAM 和Low Power SDRAM之Mobile RAM系列产品,可广泛应用在消费性(Consumer)、通讯(Communication)、计算机周边(Computer Peripheral)以及车用电子(Automobile)等四大领域,而具双倍数据传输率(Double Data Rate / DDR) Graphics DRAM-GDDR产品,则锁定个人计算机、游戏机和多媒体等应用市场对于高效能和高速度绘图内存解决方案的需求。

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