SAMSUNG(三星）

SAMSUNG SDRAM/DDR 系列产品特点：

•高速度— 1600Mbps的DDR3能迎合需要高速效的数码电视、STB、蓝光播放机和网络设备；
•低功耗 —DDR3(1.5V) 的电压比DDR2(1.8V)低，能减低系统的耗电量；
•工作温度范围宽 - 最新的Q版本工作温度在-40 to +105；
•高品质 - 由于是国内生产与加工，无形中降低了很多成本。广泛应用于数码类以及消费类电子产品中；
•产线长 - SAMSUNG已拥有全系列的DRAM产品。其中以TSOP-II和FBGA封装的128Mb~256Mb SDRAM、128Mb~512Mb DDR。

SAMSUNG SDRAM系列规格参数
Part Number	Density	ory	Bank	Package/Speed	Refresh Power(V)	Package
K4S640832N-LC75	64Mb N-die	8M*8	4Banks	LC(L)75	4K/64ms 3.3±0.3V	54pin TSOP(II)
K4S641632N-UC80	64Mb N-die	4M*16	4Banks	LC(L)50/C(L)60/C(L)75	4K/64ms 3.3±0.3V	54pin TSOP(II)
K4S280832K-UC75	128Mb K-die 128Mb O-die	16M*8	4Banks	UC(L)75	4K/64ms 3.3±0.3V	54pin TSOP(II)
K4S281632K-UC75		8M16 16M8	4Banks	LC(L)50/C(L)60/C(L)75	4K/64ms 3.3±0.3V	54pin TSOP(II)
K4S281632O-LC75		8M*16	4Banks	LC(L)50/C(L)60/C(L)75	4K/64ms 3.3±0.3V	54pin TSOP(II)
K4S560432J-UC75	256Mb J-die	64M*4	4Banks	UC(L)75	8K/64ms 3.3±0.3V	54pin TSOP(II)
K4S560832J-UC75		32M*8		UC(L)75
K4S561632J-UC75		16M*16		UC(L)60/C(L)75
K4S560432N-LC75	256Mb N-die	64M*4	4Banks	UC(L)75	8K/64ms 3.3±0.3V	54pin TSOP(II)
K4S560832N-LC75		32M*8		UC(L)75
K4S561632N-LC60		16M*16		UC(L)60/C(L)75
SAMSUNG DDR SDRAM系列规格参数
Part Number	Density	ory	Bank	Package/Speed	Refresh Power(V)	Package
K4H641638N-LCCC	64Mb N-die	4M*16	4Banks	LC(L)CC	4K/64ms 2.5±0.2V	66PinTSOPII
K4H641638N-LCCC	64Mb N-die	4M*16	4Banks	FC(L)CC	4K/64ms 2.5±0.2V	60BallFBGA
K4H641638Q-LCCC	64Mb Q-die	4M*16	4Banks	LC(L)CC	4K/64ms 2.5±0.2V	66PinTSOPII
K4H281638L-LCCC	128Mb L-die	8M*16	4Banks	LC(L)CC/C(L)CC	4K/64ms 2.5±0.2V	66PinTSOPII
K4H281638O-LCCC	128Mb O-die	8M*16	4Banks	LC(L)CC/C(L)B3	4K/64ms 2.5±0.2V	66PinTSOPII
K4H560438J-LCB3	256Mb J-die	64M*4	4Banks	LC(L)B3/C(L)B0	8K/64ms 2.5±0.2V	66PinTSOPII
K4H560838J-LCCC		32M*8		LC(L)CC/C(L)B3
K4H561638J-LCB3		16M*16		LC(L)CC/C(L)B3
K4H560438N-LCB0	256Mb N-die	64M*4	4Banks	LC(L)B3/C(L)B0	8K/64ms 2.5±0.2V	66PinTSOPII
K4H560838N-LCCC		32M*8		LC(L)CC/C(L)B3
K4H561638N-LCCC		16M*16		LC(L)CC/C(L)B3
K4H510438F-HCCC	512Mb F-die	128M*4	4Banks	LC(L)B3/C(L)B0	8K/64ms 2.5±0.2V	66PinTSOPII
K4H510438F-HCCC		128M*4		HC(L)CC/C(L)B3		60BallFBGA
K4H510438F-HCCC		64M*8		LC(L)CC/C(L)B3		66PinTSOPII
K4H510438F-HCCC		64M*8		HC(L)CC/C(L)B3		60BallFBGA
K4H511638F-LCB3		32M*16		LC(L)CC/C(L)B3		66PinTSOPII
K4H511638F-LCB3		32M*16		HC(L)CC/C(L)B3		60BallFBGA
K4H510438G-HCCC	512Mb G-die	128M*4	4Banks	LC(L)CC/C(L)B3	8K/64ms 2.5±0.2V	66PinTSOPII
K4H510438G-HCCC		128M*4		HC(L)CC/C(L)B3		60BallFBGA
K4H510838G-LCCC		64M*8		LC(L)CC/C(L)B3		66PinTSOPII
K4H510838G-LCCC		64M*8		HC(L)CC/C(L)B3		60BallFBGA
K4H511638G-LCB3		32M*16		LC(L)CC/C(L)B3		66PinTSOPII
K4H511638G-LCB3		32M*16		HC(L)CC/C(L)B3		60BallFBGA
SAMSUNG DDR2 SDRAM系列规格参数
Part Number	Density	ory	Bank	Package/Speed	Refresh Power(V)	Package
K4T28163QO-HCE6	128Mb O-die	8M*16	4Banks	HCF8/E7/F7/E6	4K/64ms 1.8±0.1V	84BallFBGA
K4T56163QI-ZCF7	256Mb I-die	16M*16	4Banks	HCE7/F7E6/D5/CC	8K/64ms 1.8±0.1V	84BallFBGA
K4T56163QN-HCE6	256Mb N-die	16M*16	4Banks	HCF8/E7F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	84BallFBGA
K4T51083QG-HCE6	512Mb G-die	64M*8	4Banks	HC(L)F8/E7F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	60BallFBGA
K4T51163QG-HCF8	512Mb G-die	32M*16	4Banks	HC(L)F8/E7F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	84BallFBGA
K4T51043QI-HCE6	512Mb I-die	128M*4	4Banks	HC(L)E7/F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	60BallFBGA
K4T51083QI-HCE6		64M*8		HC(L)E7F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	60BallFBGA
K4T51163QI-HCE7		32M*16		HC(L)F8/E7/F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	84BallFBGA
K4T1G084QE-HCF7	1Gb E-die	128M*8	8Banks	HC(L)F8/E7/F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	60BallFBGA
K4T1G164QE-HCE7	1Gb E-die	64M*16	8Banks	HC(L)F8/E7/F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	84BallFBGA
K4T1G084QF-BCF8	1Gb F-die	128M*8	8Banks	HC(L)F8/E7/F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	60BallFBGA
K4T1G164QF-BCE7	1Gb F-die	64M*16	8Banks	HC(L)F8/E7/F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	84BallFBGA
SAMSUNG DDR3 SDRAM系列规格参数
Part Number	Density	ory	Bank	Package/Speed	Refresh Power(V)	Package
K4B1G0846E-HCH9	1Gb E-die	128M*8	8Banks	HC(L)F7/F8/H9/K0	8K/64ms 1.5±0.075V	78BallFBGA
K4B1G1646E-HCH9	1Gb E-die	64M*16	8Banks	HC(L)F7/F8/H9/K0	8K/64ms 1.5±0.075V	96BallFBGA
K4B2G0846E-MCF	2Gb B-die	256M*8	8Banks	HC(L)F7/F8/H9/K0	8K/64ms 1.5±0.075V	78BallFBGA
K4B2G1646E-HCN9	2Gb B-die	128M*16	8Banks	HC(L)F7/F8/H9/K0	8K/64ms 1.5±0.075V	96BallFBGA

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SAMSUNG代理商|三星代理商|SAMSUNG三星代理商深圳昊海鑫科技作为韩国【SAMSUNG三星半导体】在国内的知名SAMSUNG三星代理商，本着“全力服务客户，为客户创造终生价值”原则。努力创造“资源平台的共享、成就客户、成就公司”的美好前景。三星电子是世界上最大的电子工业公司。1938年3月它于朝鲜大邱成立，创始人是李秉喆，现任社长兼CEO是崔志成。在世界上最有名的100个商标的列表中，三星电子是唯一的一个韩国商标，是韩国民族工业的象征。三星电子(Samsung Electronics)作为大韩民国电子产品生产企业，是韩国规模最大的企业，同时也是三星集团子公司中规模最大且在国际市场处于领先地位的企业。该公司在全世界共65个国家拥有生产和销售法人网络，员工数多达157,000人，2009年超越惠普（HP）跃升为世界最大的IT企业，其中LCD TV、LED TV和半导体等产品的销售额均在世界上高居榜首。目前在国际市场上，三星电子生产的LED TV及各种电视产品、Galaxy S（i9000）手机等受到消费者的青睐。不仅如此，三星电子的存储器半导体广泛应用于世界各地的各种电子产品。三星电子在电视领域创造的佳绩可谓是独一无二的，截至2009年，连续四年保持电视销售量第一的地位，2010年度若无特殊情况，将连续5年在世界上保持领先地位。据业界人士分析，三星电子之所以能够长期捍卫榜首的地位，正是得益于产品的性能、设计以及尺寸等要素，企业不断追求创新，推出引导时代潮流的新产品。