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Winbond(华邦)

Winbond Serial Flash系列产品特点:

•体积小— 由于串行flash采用比并行flash更少的连线在一个系统中传送数据,所以缩小的系统板的空间,能常采用SOIC8、DFN、BGA等封装;

•低功耗 — 串行SPI FLASH器件采用串行接口进行连续数据存取,所以可以达到工作电流:7mA  待机电流:8uA;

•工作温度范围宽 - 最新的Q版本工作温度在-40 to +105;

•快速擦除烧录程式 —通过4KByte统一Sector-Erase,32Kbyte或者64Kbyte Block-Erase或者Chip- Erase能力,目前已达到数据擦除:18mS;

•成本低,用途广 - 由于是台湾生产与加工,无形中降低了很多成本。广泛应用于数码类以及消费类电子产品中;

•产品线长 - 串行SPI FLASH产品提供512Kb - 128Mb的密度、I2C、Microwire 和 SPI 兼容协议。

 Winbond Serial Flash系列规格参数
Part No. Density Voltage Temp Range Max Freq Package(s)
W25X05CL 512Kb(64KB*8) 2.3V-3.6V -40°C to +85°C  104MHz(208Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) TSSOP8(173mil) WSON8(6*5mm) USON8(2*3mm) 
W25X10CL 1Mb(128KB*8) 2.3V-3.6V -40°C to +85°C  104MHz(208Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) TSSOP8(173mil) WSON8(6*5mm) USON8(2*3mm) 
W25X10BVSSIG 1Mb(128KB*8) 2.7V-3.6V -40°C to +85°C  104MHz(208Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) WSON8(6*5mm)
W25X10BL 1Mb(128KB*8) 2.3V-3.6V -40°C to +85°C  50MHz(100Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) WSON8(6*5mm)
W25X20CL 2Mb(256KB*8) 2.3V-3.6V -40°C to +85°C  104MHz(208Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) TSSOP8(173mil) WSON8(6*5mm) USON8(2*3mm) 
W25X20BVSSIG 2Mb(256KB*8) 2.7V-3.6V -40°C to +85°C  104MHz(208Mhz Dual-SPI) SOIC-8(150mil) WSON8(6*5mm)
W25X20BL 2Mb(256KB*8) 2.3V-3.6V -40°C to +85°C  50MHz(100Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) WSON8(6*5mm)
W25X20BW 2Mb(256KB*8) 1.65V-1.95V -40°C to +85°C  80MHz(160/320Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) WSON8(6*5mm)
W25X40BVSSIG 4Mb(512KB*8) 2.7V-3.6V -40°C to +85°C  104MHz(208Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) SOIC8(208mil) WSON8(6*5mm) PDIP8(300mil)
W25X40BL 4Mb(512KB*8) 2.3V-3.6V -40°C to +85°C  50MHz(100Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) SOIC8(208mil) WSON8(6*5mm) PDIP8(300mil)
W25Q40BVSSIG 4Mb(512KB*8) 2.7V-3.6V -40°C to +85°C  80/104MHz(160/320Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) SOIC8(208mil) WSON8(6*5mm) PDIP8(300mil)
W25Q40BL 4Mb(512KB*8) 2.3V-3.6V -40°C to +85°C  50MHz(100/200Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) SOIC8(208mil) WSON8(6*5mm) PDIP8(300mil)
W25Q40BW 4Mb(512KB*8) 1.65V-1.95V -40°C to +85°C  80MHz(160/320Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) WSON8(6*5mm)
W25Q80BVSSIG 8Mb(1MB*8) 2.7V-3.6V -40°C to +85°C  80/104MHz(160/320Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) SOIC8(208mil) WSON8(6*5mm) PDIP8(300mil)
W25Q80BL 8Mb(1MB*8) 2.3V-3.6V -40°C to +85°C  50MHz(100/200Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) SOIC8(208mil) WSON8(6*5mm) PDIP8(300mil)
W25Q80BW 8Mb(1MB*8) 1.65V-1.95V -40°C to +85°C  80MHz(160/320Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) SOIC8(208mil) WSON8(6*5mm)
W25Q16BVSSIG 16Mb(2MB*8) 2.7V-3.6V -40°C to +85°C  80/104MHz(160/320Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) SOIC8(208mil) SOIC16(300mil) WSON8(6*5mm) PDIP8(300mil)
W25Q32BVSSIG 32Mb(4MB*8) 2.7V-3.6V -40°C to +85°C  104/80MHz(208/320Mhz Dual-SPI) SOIC8(208mil) SOIC16(300mil) WSON8(6*5mm) WSON8(8*6mm) PDIP8(300mil) TFBGA24(6*8mm)
W25Q64DWSTIM 64Mb(8MB*8) 1.65V-1.95V -40°C to +85°C  50MHz(100/200Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) SOIC8(208mil) SOIC16(300mil)WSON8(6*5mm) PDIP8(300mil)
W25Q64FVDAIG 64Mb(8MB*8) 2.3V-3.6V -40°C to +85°C  104MHz(208/416Mhz Dual-SPI) SOIC8(150mil) SOIC8(208mil) WSON8(6*5mm) PDIP8(300mil) TFBGA24(6*8mm)
W25Q64BVFIG 64Mb(8MB*8) 2.7V-3.6V  -40 to +85    -40 to +105 104/80MHz(208/320Mhz Dual-SPI) SOIC8(208mil) SOIC16(300mil) WSON8(6*5mm) WSON8(8*6mm) PDIP8(300mil) TFBGA24(6*8mm)
W25Q64BVSSIG 64Mb(8MB*8) 2.7V-3.6V -40°C to +85°C  104MHz(208/416Mhz Dual-SPI) SOIC8(208mil) SOIC16(300mil) WSON8(6*5mm) WSON8(8*6mm) TFBGA24(6*8mm)
W25Q64BVSSIG 64Mb(8MB*8) 2.7V-3.6V -40°C to +85°C  80MHz(160/320MhzDual/Quad-SPI) SOIC8(208mil) SOIC16(300mil) WSON8(8*6mm) PDIP8(300mil)
W25Q64CVSSIG 64Mb(8MB*8) 2.7V-3.6V  -40 to +85    -40 to +105 80MHz(160/320MhzDual/Quad-SPI) SOIC8(208mil) SOIC16(300mil) WSON8(6*5mm) PDIP8(300mil) TFBGA24(6*8mm)
W25Q128FVSSIG 128Mb(16MB*8) 2.7V-3.6V -40°C to +85°C  104MHz(208/416Mhz Dual-SPI) SOIC8(208mil) SOIC16(300mil) WSON8(6*5mm) WSON8(8*6mm) TFBGA24(6*8mm)
W25Q128BVFG 128Mb(16MB*8) 2.7V-3.6V  -40 to +85    -40 to +105 104/70MHz(208/280Mhz Dual-SPI) SOIC16(300mil) WSON8(8*6mm) TFBGA24(6*8mm)
W25Q256BVFG 256Mb(32MB*8) 2.7V-3.6V -40°C to +85°C  104/80MHz(208/320Mhz Dual-SPI) SOIC16(300mil) WSON8(8*6mm) TFBGA24(6*8mm)


 

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