SVT035R5NSA N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
21A，30V，RDS(on)(典型值)=4.0mW@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
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