1.JW1568K集成了一个栅极驱动器和两个半桥结构的增强型GaN晶体管。集成功率GaN的RDS（ON）为220mΩ和650 V漏极-源极击穿电压2.JW1568K在低侧端和高侧驱动部分都具有欠压锁定保护功能，防止电源开关在低效率或危险条件下工作。

2.JW1568K在下端和上端驱动部分都具有欠压锁定保护功能，防止电源开关在低效或危险条件下工作。

JW1568K特性

1.集成Si工艺的栅极驱动器

2.超低待机电流

3.VCC范围宽

4.过电流保护

5.集成高侧自举电路

6.高达2MHz的工作频率

7.防直通保护

8.合封2*650V/220mΩeMode GaN FET

JW1568K应用

小家电电源

墙插、USB智能排插

手机充电器

笔记本电脑适配器

网通适配器

电动自行车