SS018N08LS是N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的双沟槽技术，降低了导通损耗，提高了开关性能，提高了雪崩能量。这是适用于电机驱动器和高速开关应用的设备。

1、特点

•快速切换

•低导通电阻（RDS（On）≤1.8mΩ)

•低栅极电荷

•低反向传输电容

•雪崩强度高

•RoHS产品

2、应用

•切换应用程序

•电机驱动器

•BMS.

思开半导体(Skysemi)总部坐落于享有“中国硅谷”之称的深圳市南山区高新科技园。专注于功率半导体元器件研发、生产及销售。并在重庆和上海设有研发中心。

公司现有产品系列:Trench MOS、SGT MOS、超结MOS、IGBT、SiC、GaN。

公司产品广泛应用:BMS、新能源、电机控制、适配器快充、光伏逆变、UPS、充电桩、移动快充、消费类电子、通讯电源等领域。

愿景：推动技术突破，成为全球领先的功率半导体供应商。

使命：思开人不懈努力，致力于通过高质量、高价值的产品和服务，提高合作伙伴的价值。

Skysemi思开半导体代理商为全球数以千计的消费类产品提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。