随着中国新能源汽车行业迅速发展，车载充电器应用需求与日俱增。Silan士兰微电子的功率半导体产品为车载产电器提供更快速、更小型且更可靠的全套设计方案。

针对不同拓扑应用，Silan士兰微电子提供第五代IGBT产品用于前级各功率段PFC拓扑，而Hybrid IGBT与SJ MOS适用于不同控制策略的后级DC-DC拓扑，实现6.6kW车载充电器的小型化及高可靠性能。

同时为实现更高功率、更高母线电压的市场需求，Silan提供1200V SiC MOS，获取更快充电速度，大幅减少充电时间。低压MOS则适用于配套高压DC-DC电路，为辅助电池提供更高的充电功率，满足更加丰富的智能座舱及影视娱乐需求。

Silan士兰微电子方案拓扑:

Silan士兰微电子车载充电器的硬件拓扑如下图，在各拓扑应用中使用士兰IGBT、MOSFET方案。

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