TPM0596是一种高压、大电流NMOS晶体管具有移位寄存器接口的阵列。该设备由八个部分组成高压低侧NMOS晶体管的通道电感负载的输出和续流二极管。
单个NMOS通道的最大漏电流额定值为500毫安。该设备支持1.8V的宽输入/输出电压范围至5V。晶体管可以并联以获得更高的电流能力。
TPM0596可以取代传统的双极达林顿阵列具有更好的热效率和可靠性，并节省I/O。

特征
⚫ 8通道50伏低压侧驱动器阵列
⚫ 500 mA额定漏电流（每个通道）
⚫ 每通道极低的输出泄漏<10毫安
⚫ 低RDS开启时的能效
⚫ 扩展温度范围：TA=–40°C至125°C
⚫ 高压输出50 V
⚫ 与1.8-V至5.0-V逻辑接口兼容
⚫ 感应负载用集成自由转动二极管
⚫ 集成RC滤波器提高抗噪性
⚫ ESD保护超过JESD 22–2-kV HBM，500-V清洁发展机制
⚫ 提供16针TSSOP-16包装
应用
⚫ 感应负载
◼ 继电器
◼ 单极步进电机和有刷直流电机
◼ 电磁阀和阀门
⚫ LED指示灯
⚫ 逻辑电平移位
⚫ 栅极和IGBT驱动

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