DIO82611/2是一种高频同步电路整流器控制器，专门设计用于标准和逻辑级NMOSFET和GaN外部组件最少的功率设备针对高频反激应用。
漏源感应控制方案允许DIO82611/2与多个拓扑，如ACF/QR/DCM/CCM反激和LLC，et。
DIO82611/2提供了不同的最小接通时间提供额外的抗噪性。强健的连续传导模式（CCM）下的操作通过比例栅极驱动进一步增强。
提高了效率和抗噪性自适应最小关闭时间。
DIO82611/2具有多种功能，可以改进效率具有短路的快速比较器传播延迟减少了开关损耗。这个9.5V驱动钳位降低了MOSFET驱动损耗。
多种待机模式进一步减少备用电源。该芯片采用特殊设计实现安全要求的可靠保护。

特征
 支持有源箝位等拓扑
反激、QR、DCM、CCM反激和LLC
 MOSFET VDS感应高达230 V
 最大开关频率：
–800 kHz，适用于DIO82612
–1 兆赫，适用于DIO82611
 VIN范围宽：5~30V
 带3A接收器和1A电源的栅极驱动器
 自适应最小关闭时间，以增加
抗噪性
 高压侧或低压侧整流
 低启动电流：100μA（典型值）
 低待机电流：300μA（典型值）
 关闭传播延迟：20ns（典型值）
 9.5V驱动夹，减少驱动损耗
 紧凑型包装：TSOT23-6
应用
 交直流适配器
 USB Type-C和PD AC适配器
 服务器和电信电源
 交直流辅助电源

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